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磁控溅射 

发布时间:2017/03/16
磁控溅射

  1总体介绍

  1.1本系统为高真空磁控溅射镀膜设备,用于通过磁控溅射法沉积非金属与金属膜,用户可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜,完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空闸板阀与主腔室相连,可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗,并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片,样片载体为直线运动的传递机构。

  2主要功能

  2.1本系统一共有4块磁控溅射靶,都可以在中频或直流状态工作,溅射靶材可以根据用户的需求更换。

  3基片

  3.1.基片台、基片台加热机构:基片加热温度:室温~1000℃,旋转速度5~60转/分,可调;

  3.2基片和基片加热机构可分别升降,便于基片加热和传送。

  3.3磁控溅射室可镀最大有效尺寸≦Φ50㎜衬底一片,靶轴与真空室轴夹角70º靶面到衬底距离±50mm在线可调,偏摆可调±15°。极限真空:2×10-6Pa、恢复真空7×10-4Pa:30~40分钟(充干燥氮气)。

  3.4工作条件:供电:~380V,冷却水循环量1m3/h,工作环境温度10℃~40℃。