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磁控溅射与分子束外延 

发布时间:2017/03/16
磁控溅射与分子束外延

  一、设备概述

  1、平台用途:该平台是一种超高多靶磁控溅射沉积—多功能电子束—分子束联合蒸发镀膜实验平台,用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜及Fe和Cu等金属薄膜,用超高真空电子束—分子束联合蒸发镀膜的方法制备Ti、Al和Cu等金属电极膜及化合物、半导体薄膜,同时还可以用于基片和薄膜的等离子清洗退火。

  2、靶、基片及加热材料

  该设备可以采用单靶独立工作或三只靶轮流工作、任意两靶组合共溅、三靶组合共溅等工作模式,向心溅射,射频直流兼容,靶材可以是金属或陶瓷等,磁性材料或非磁性材料。

  所有靶面均可以沿轴向电动位移,最大位移量±100mm,可变角度0~30º。所有靶上都带有电动档板,以防止靶面在未工作时被污染。

  靶芯采用新式磁场结构,靶面刻蚀均匀,靶材利用率高,基片上薄膜生长均匀,其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。

  该设备有电动基片挡板,以防止靶未稳定工作时污染基片。

  3、基片及加热材料

  该设备的基片有效镀膜直经:4吋,整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤5﹪,基片架采用框式结构,样品交接容易,基片架不变形,镀膜时基片转动,旋转速度2~30转/分可调,镀膜均匀。基片有挡板,防止污染。基片加热器及温控系统1套,基片加热器电动升降机构行程±20mm,样品加热温度:常温~1700○C可调。基片电动升降机构行程±30mm,焊接金属波纹管密封,真空室真空度可达2×10-7Pa

  该设备配有基片挡板,以防止束源未稳定工作时污染基片。样品架在镀膜时旋转,基片上薄膜生长均匀,其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。