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磁控溅射设备用途和功能特点 

发布时间:2017/03/16

  1、该设备是一种多功能磁控溅射镀膜设备,适用于镀制各种单层膜、多层膜及搀杂膜系。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜。

  2、为避免微粒物资落到基片上,采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构,即由下向上溅射。3、为满足镀制搀杂膜的要求,采用多靶向心溅射的方式。

  4、可以采用单靶独立、双靶、三靶任意轮流或组合共溅工作模式,射频直流兼容。

  5、所有靶面均可以沿轴向位移,与真空室轴夹角70º,位移量±50mm,可变角度±15º。所有靶上都带有电动档板,以防止靶面在未工作时被污染。这一功能为寻找实验参数提供了强有力的实验手段。

  6、为了保证镀膜的工艺性(预溅射、多层膜、搀杂膜、防止交叉污染和干扰等),每只磁控溅射靶均配备磁力耦合电动挡板(配装电机),可在操作面板上电动控制靶挡板的开关。

  7、基片加热器采用高纯石墨加热器,可以避免加热元件放气或挥发对基片和真空室的污染,加热器的可靠性高,寿命长。

  8、由于采用了超高真空密封技术,极限真空度高,可达2×10-5Pa,可保证更高的镀膜纯净度,提高镀膜质量。

  恢复工作真空时间短,从大气到工作真空(7×10-4Pa)时间30~40分钟(充干燥氮气)

  运动部件的密封,采用磁力耦合动密封技术。

  真空规用金属规(不用玻璃规),密封口用刀口金属密封结构。